원리 및 특성

작동 원리
Wet Process는 웨이퍼를 액체 상태의 화학약품에 침지하거나 흐르는 액체로 처리하여 표면 오염 제거, 포토레지스트 제거, 산화막 또는 금속막 등을 식각하는 공정이다.

핵심 원리
- 물리적 세정 (Rinse, Particle Removal)
- 화학적 반응 (Chemical Etching, Oxidation, Reduction)
- 용해 및 분해 (Dissolution, Decomposition)

주요 처리 단계
- 세정 (Cleaning): 표면 입자, 유기물, 금속 이온 제거
- 식각 (Etching): 산화막(SiO₂), 질화막(Si₃N₄) 등 선택적 박막 제거
- 스트립 (Stripping): 포토레지스트 제거
- 헹굼 및 건조 (Rinse & Dry): 초순수 헹굼 및 건조