원리 및 특성

* 작동 원리

열원:
고출력 쿼츠 할로겐 램프를 이용하여 웨이퍼 표면에 적외선(IR) 복사 에너지를 직접 조사한다.

가열 방식:
적외선 조사 방식으로 웨이퍼를 수 초 내에 고온으로 상승시키며, 챔버 자체는 최소한의 열을 받아 열 손실을 감소시킨다.

온도 제어:
비접촉식 광학 온도 센서(Pyrometer) 를 통해 웨이퍼 표면 온도를 실시간 모니터링한다.
PID 제어 알고리즘을 통해 온도를 정밀하게 제어하여 설정된 공정 프로파일을 유지한다.

분위기 제어:
공정 중 산소(O₂), 질소(N₂), 아르곤(Ar) 등을 투입하여, 산화, 질소화, 보호 분위기 하에서 열처리가 가능하다.


* 주요 적용 공정

이온 주입 활성화 (Ion Implantation Activation)
이온 주입 후 손상된 웨이퍼 결정구조를 복구하고 도펀트 이온을 활성화한다

박막 산화 및 질화 (Rapid Thermal Oxidation, RTO / Rapid Thermal Nitridation, RTN)
초박막(수십 Å 수준) 산화막 및 질화막 형성.

금속 실리사이드 형성 (Silicidation)
금속과 실리콘이 반응하여 낮은 저항의 전극 접촉층을 생성

폴리실리콘 결정화 (Poly-Si Crystallization)
비정질 실리콘(a-Si) 박막을 결정화하여 고성능 박막트랜지스터(TFT) 제조