장비사용예약
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장비사용예약
장비 정보
Thermal chemical vapor deposition system열 화학 기상 증착 시스템
| 호실 | CRC 102호 Process Room |
|---|---|
| 제조사(모델) | SNTEK (TCS5000) |
| 담당자 | 최성욱 |
| 이메일 | wellggo7@yu.ac.kr |
| 연락처 | 053-810-4896 |
예약 하기
2026년 09월
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| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
| 1수리중 | 2수리중 | 3수리중 | 4수리중 | 5수리중 | ||
| 6수리중 | 7수리중 | 8수리중 | 9수리중 | 10수리중 | 11수리중 | 12수리중 |
| 13수리중 | 14수리중 | 15수리중 | 16수리중 | 17수리중 | 18수리중 | 19수리중 |
| 20수리중 | 21수리중 | 22수리중 | 23수리중 | 24수리중 | 25수리중 | 26수리중 |
| 27수리중 | 28수리중 | 29수리중 | 30수리중 | |||
오늘예매가능한 날짜선택한 날짜종료
원리 및 특성
열에너지를 이용해 기체 전구체를 기판(웨이퍼) 표면에서 화학 반응시켜 고체 산화막(SiO₂) 을 증착(Deposition)하는 방식
규격
Substrate Bed : Quartz Tube
Temperature Range : RT~1,250℃
Heating Rate : ~150℃/sec for Silicon wafer
Control Zone : 3-Zone
Temperature Uniformity : ≤ ±3% (@1000℃, Si wafer)
Temperature Accuracy : ≤ ±3℃
Temperature Repeatability : ≤ ±3℃
Vacuum : Standard : 5.0E-3 Torr / Option : 1.0E-6 Torr
Gas Supply : 3 channels (Extensible)