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장비 정보
Graphene CVD그래핀 화학 기상 증착기
| 호실 | CRC 102호 Process Room |
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| 제조사(모델) | 지니아텍 (SPS402) |
| 담당자 | 최성욱 |
| 이메일 | wellggo7@yu.ac.kr |
| 연락처 | 053-810-4896 |
예약 하기
2026년 09월
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| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
| 1수리중 | 2수리중 | 3수리중 | 4수리중 | 5수리중 | ||
| 6수리중 | 7수리중 | 8수리중 | 9수리중 | 10수리중 | 11수리중 | 12수리중 |
| 13수리중 | 14수리중 | 15수리중 | 16수리중 | 17수리중 | 18수리중 | 19수리중 |
| 20수리중 | 21수리중 | 22수리중 | 23수리중 | 24수리중 | 25수리중 | 26수리중 |
| 27수리중 | 28수리중 | 29수리중 | 30수리중 | |||
오늘예매가능한 날짜선택한 날짜종료
원리 및 특성
그래핀(Graphene)은 탄소 원자가 sp² 결합으로 이루어진 2차원 벌집 구조를 가지는 물질로, 우수한 전기적, 열적, 기계적 특성을 가지고 있다.
대면적 고품질 그래핀을 제조하기 위한 방법 중 하나로 화학 기상 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)이 널리 사용되고 있다.
규격
챔버 타입 : 원통형 석영 튜브 (Quartz Tube)
최대 온도 : 1000~1100°C (일부 고급 장비는 1200°C 가능)
히터 타입 : 저항 가열식 (Resistive Heating), 다구간(zone) 제어 가능
온도 균일성 : ±1~2°C 이내 (중앙부 기준)
기판 크기 : 2 inch
기판 종류 : 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 실리콘 웨이퍼(Si) 등
프로세스 압력 : 저압(LPCVD): 수 mTorr ~ 수백 mTorr / 대기압(APCVD): 1 atm
가스 종류 : 메탄(CH₄), 에틸렌(C₂H₄), 수소(H₂), 아르곤(Ar)
가스 유량 제어 : Mass Flow Controller (MFC) 사용, 정밀 제어 (1~500 sccm)
펌프 시스템 : 로터리 펌프
냉각 방식 : 자연 냉각 또는 수냉식(Water Cooling)