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장비 정보
Mask Aligner노광기(MA6)
| 호실 | CRC 102호 Photo Room |
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| 제조사(모델) | Suss MicroTec (MA6) |
| 담당자 | 권지훈 |
| 이메일 | kjhoon@yu.ac.kr |
| 연락처 | 053-810-4834 |
예약 하기
2026년 09월
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원리 및 특성
소자 패턴 형성을 위한 Mask 정렬 및 노광을 하는 장치
ㅇ적용가능 기판크기 : 10mmx10mm, 조각～4인치 Wafer
ㅇ사용가능 마스크 크기 : 4인치×4인치, 5인치×5인치, 6인치×6인치
ㅇ노출광원 : Hg-Lamp 500W
- 자외선 (UV) 파장대 : 365～405㎚
ㅇ노광형태 :
- Proximity
- Soft/Hard contact
- Soft Vacuum contact
- Vacuum contact
ㅇ노광간격 : 1～100㎛ 간격 조절 해상도 : 2.5㎛
ㅇ노광시간 : 0.1～999/초 (0.1초 간격)
ㅇ분 해 능 :
- Proximity in 20㎛ gap : 3㎛
- Soft / Hard contact : 2㎛
- Vacuum contact : 0.6～0.8㎛
ㅇ정렬(Alignment) 방법 및 정확도
- 윗면정렬 (Top Side Alignment) : 0.5㎛
- 뒷면정렬 (Back side Alignment) : 1㎛
ㅇ윗면 정렬 배율 : 600배 이상
- 뒷면 정렬 배율 : 91배 및 310배
ㅇWedge Error Compensation 가능
규격
10㎜×10㎜ 조각에서 4인치 wafer 기판까지 적용 가능하다.
노출 광원으로는 Hg-Lamp 500W, 자외선 파장대는 365~405㎚가 쓰인다.
노광 형태는 Proximity, Soft/Hard contact, Soft Vacuum contact, Vacuum contact이다.
정렬 방법 및 정확도는 윗면 정렬 시 0.5㎛ 이며 뒷면 정렬 시 1㎛이다.
윗면 정렬 배율은 600배 이상이며, 뒷면 정렬 배율은 91배 및 310배 이다.
Wedge Error Compensation이 가능하다.
노광 간격은 1~100㎛이며, 간격 조절 해상도는 2.5㎛이다.
노광 시간은 0.1~999/초 이며 0.1초 간격이다.
분해능은 Proximity in 20㎛ gap : 3㎛이며 Soft/Hard contact : 2㎛이며, Vacuum contact : 0.6~0.8㎛ 이다.
장비설명
유의사항
○ 대관자는 영남대학교 반도체특성화대학 대여 규약을 준수하여야 합니다.○ 사용자는 반드시 장비 로그북 작성하여야 합니다.
○ 온라인 신청 후 장비 담당자에게 유선 연락바랍니다.